עוד חוזה לטאואר: VectraWave בחרה בטכנולוגיה של החברה

טכנולוגיית ה-SiGe BiCMOS של טאואר תשמש את החברה לפיתוח מעגל ראשון בתדר 40 גיגה-הרץ

חברת טאואר הודיעה היום (ה') כי טכנולוגיית ה-SiGe BiCMOS המתקדמת שלה נבחרה על-ידי חברת VectraWave לפיתוח מעגל ראשון בתדר 40 גיגה-הרץ.

VectraWave בחרה בטכנולוגיה מבוססת סיליקון-גרמניום של טאואר על-פני האינדיום-פוספיד, החומר המסורתי בו משתמשים לייצור מעגלים לתקשורת אופטית בתדרים אלה, הודות ליתרון המאפשר שילוב מעגלים דיגיטאליים על אותו השבב, במחיר נמוך יותר, צריכת הספק נמוכה יותר וגודל קטן יותר.

VectraWave פונה לשוק רכיבי תדר גבוה לציוד תקשורת RF ורכיבי תקשורת אופטית. בנוסף לפיתוח הרכיב הנוכחי, יפעלו החברות לפיתוח וייצור מעגלים דיגיטאליים לדור הבא שיתאפיינו במהירות גבוהה ומתן ביצועים גבוהים עוד יותר.

תהליך ה-SiGe BiCMOS של טאואר-ג'אז מיוצר על פרוסות של 200 מ"מ, לעומת פרוסות של 75 מ"מ ולעיתים פרוסות של 100 מ"מ, בדרך כלל בתהליכי הייצור בתעשייה.